2月25日，該工業化示范裝置在峨嵋半導體材料研究所一次性開車成功，通過對循環氫氣進行純化，氫氣純度達到99.9999%以上，實現了合同的預期要求。截至6月3日，期間因其他原因曾歷經兩次開停車，共進行了56天穩定試驗。

　　在多晶硅的生產過程中，原料SiHCl3會帶進各種超痕量金屬雜質（ppb級），特別是BCl3和PCl3等以B和P的形式，在多晶硅上沉積會對產品質量產生很大影響；另外，由于各種原因還會帶進CH4，O2，N2，H2O等痕量雜質（ppm級），均會影響多晶硅產品質量。受吸附平衡和相平衡的限制，傳統變壓吸附和深冷技術難以對這些痕量和超痕量雜質進一步脫除。金屬鈀復合膜則通過完全不同的機理，對這些雜質進行有效攔截，使得各種雜質含量降低百倍以上，可以明顯提高多晶硅產品純度和質量。該技術是大連化物所經過多年努力，在國內外率先實現產業化的專利技術，這對于多晶硅生產具有重要的意義。

　　現場示范結果還表明，通過對循環氫氣進行純化，僅有的兩批采用合成SiHCl3生產的多晶硅，質量均達到了電子級的標準；對于循環氫氣中含量有時會突然增大的甲烷或者氮氣，本純化裝置可以不斷將這些雜質從體系去除，經過十幾小時的運轉，使大循環體系的氫氣質量得到明顯改善，甲烷和氮氣含量恢復正常值；采用純化后的氫氣生產多晶硅，產品中金屬B和P的含量相對穩定，說明該純化器可以為多晶硅穩定生產發揮保障作用。

　　該技術可應用于我國幾十家多晶硅企業提升多晶硅生產技術，這對于推動電子信息、半導體、LED照明和光伏發電等戰略性新興產業發展具有重要意義。